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更新日期：2024-03-21
簡要描述：
日本shinkuu磁控濺射沉積裝置MSP-40T本裝置是一種多用途簡易操作型磁控濺射沉積裝置。它是一種小型桌面型和小空間設備，可以在強磁場下沉積各種金屬。
日本shinkuu磁控濺射沉積裝置MSP-40T
本裝置是一種多用途簡易操作型磁控濺射沉積裝置。它是一種小型桌面型和小空間設備，可以在強磁場下沉積各種金屬。
關于所需的實用程序
氬氣
二次壓力0.05MPa-0.08MPa，連接1/4英寸Swagelok
水冷機制
流量 1 升/分鐘，連接 Φ6 mm
需要世偉洛克冷卻水循環(huán)裝置或自來水連接。
本裝置是一種多用途簡易操作型磁控濺射沉積裝置。
它是一種小型桌面型和小空間設備，可以在強磁場下沉積各種金屬。
由于樣品帶有低壓涂層，因此樣品損壞可以保持很小。
通過觸摸屏操作、配方功能和序列控制實現(xiàn)全自動濺射成膜。
日本shinkuu磁控濺射沉積裝置MSP-40T
主要產(chǎn)品規(guī)格
| 物品 | 規(guī)格 |
| 電源 | AC100V（單相100V）15A 3芯插頭帶地線 |
| 設備尺寸 | 寬 504 毫米，深 486 毫米，高 497 毫米 （設備重量 37.7 公斤） |
| 隔膜泵 | 寬 170 毫米，深 287 毫米，高 173 毫米 （重量 6.5 公斤） |
| 樣本表大小 | 直徑50mm（陽極分離浮法） |
| 電極樣品臺間距 | 115 mm、95 mm、70 mm （包括樣品臺高度） |
| 目標金屬 | ITO、Ti、W、Cr、Al、Ni、Fe、Ge、Zr、Mo、Cu、Ta、碳等貴金屬靶材 （使用磁場抵消鎳板） Pt、Pt-Pd、Au、Au-Pd、鈀、銀 |
